先從屏蔽的基礎說起，一般認為交變電壓源近場為高阻抗場，主要分量為電場;而交變電流源近場為低阻抗場，主要分量為磁場。分析電磁場近場特性對屏蔽設計十分重要，對于高阻抗場，由于波阻抗大，主要是依靠反射損耗增加屏蔽效能;而對于低阻抗場，由于波阻抗十分小，反射損耗已經可以忽略，主要是依靠吸收損耗增加屏蔽效能。
一是借助電路理論中的電磁感應原理
交變電磁場通過金屬材料表面時，金屬材料會由于感應電動勢而形成渦流。這個渦流所產生的磁場，正好與原來的磁場方向相反，從而抵消了部分原來的磁場，起到屏蔽作用。另外，由于金屬材料具有一定的電阻，渦流在金屬材料內部產生熱消耗了部分入射電磁波的能力，同樣也起到了屏蔽的作用。
二是根據電磁場理論
電磁波在不同傳播媒質的界面，由于波阻抗的突變，電磁波會發生反射。另外，在傳輸媒質中，例如金屬材料內部，電磁波會發生衰減。這種反射和衰減作用正好就說明金屬材料的屏蔽機理。
三是根據傳輸線理論
電磁波在有損耗的非均勻傳輸線中，由于傳輸線的阻抗與電磁波的阻抗不匹配，電磁波會發生反射現象，加上傳輸線是有損耗的，電磁波在傳輸過程中會發生衰減。這與電磁波理論分析中的反射和衰減十分類似，但是這種方法會比電磁波的分析方法更加簡便得多，也是目前電磁屏蔽分析中應用的方法。